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DMG6602SVT
1000
C ISS Ave(pF)
f = 1MHz
10
8
V DS = -15
I D = -3A
6
100
C OSS Ave(pF)
4
C RSS Ave(pF)
2
10
0
5 10 15 20 25
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 20 Typical Junction Capacitance
30
0
0
2 4 6 8
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 21 Gate Charge
10
100
10
R DS(on)
Limited
P W = 100μs
1
DC
P W = 10s
P W = 1s
P W = 100ms
0.1 T J(max) = 150°C
T A = 25°C
V GS = -10V
Single Pulse
P W = 10ms
P W = 1ms
0.01
DUT on 1 * MRP Board
0.1
1
10
100
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 22 SOA, Safe Operation Area
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
D = 0.9
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.02
0.01
D = 0.01
0.001
D = 0.005
Single Pulse
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 164C/W
Duty Cycle, D = t1/ t2
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1
10
100
1000
t1, PULSE DURATION TIME (sec)
Fig. 23 Transient Thermal Resistance
DMG6602SVT
Document number: DS35106 Rev. 6 - 2
8 of 10
www.diodes.com
May 2012
? Diodes Incorporated
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